Par mums

Mēs aktīvi un veiksmīgi nodarbojamies ar silīcija tehnoloģijām jau no 1970.gadu beigām. Mūsu pētījumi bez tīģeļa zonālās kausēšanas tehnoloģijās (augstfrekvences karsēšana 2MHz) un silīcija izaudzēšana no kausējuma ar Čohraļska metodi, ļāva iegūt vairāk kā 20 autorapliecību, tāda paša skaita rakstu un referātu publikāciju.

Straujš saules tehnoloģiju pieaugums 2000.gadu vidū, piespieda mūs pievērsties ne tikai bezdefektu kristālu iegūšanas, bet arī kvalitatīvu izejvielu iegūšanas problēmām. Viens no svarīgākajiem jautājumiem mums vienmēr bijis izejvielu pieejamība, kā no tā kvantitatīvā viedokļa, tā arī no cenu viedokļa. 2007.gadā mūsu zinātniskās-ražošanas kolektīvs pievērsās elektronisko staru tehnoloģijām, lai iegūtu silīcija izejvielas un guva pietiekoši lielus panākumus šajā ceļā. Mūsu pētījumi un izstrādes ļāva sekmīgi izmantot agrāk gandrīz neizmantotas metodes pusvadītāju rūpniecībā un pāriet no laboratorijas eksperimentiem uz rūpnieciskiem pētījumiem.

Izstrādes ieguva 3 patentus Krievijā un 2 reizes tika nolasīti referāti starptautiskās zinātniskās konferencēs, t.sk. 26 EU PVSEC Hamburgā, 2011.gada septembrī. Iegūstamā silīcija kvalitāte tika sekmīgi testēta ar Čohraļska metodi uz Prolog Semicor, Ukraina (izmēģinājumi tika veikti 2010.g.), un ar bez tīģeļa zonālo kausēšanu uz IKZ, Vācija un Topsil Semiconductor materials, Dānija.