- AS “KEPP EU” sadarbībā ar projektu „Mašīnbūves Kompetences centrs izveide” SIA “MAŠĪNBŪVES KOMPETENCES CENTRS” projekta ID Nr. 1.2.1.1/16/A/003 ietvaros, 2018.gada 31 decembrī sadarbībā ar Latvijas Universitāti pabeidza pētījumu Nr. 2.7 „Silīcija bezdislokācijas monokristālu audzēšanas no pamatnes izpēte”.
- Saskaņā ar projekta mērķiem tika izstrādāti silīcija kristālu ar diametru līdz 90 mm audzēšanas procesu no dažāda diametra pamatnēm matemātiskie modeļi.
- – Izstrādātas siltuma sistēmas šādiem procesiem.
- – Izpētīta sistēmas un tās elementu ģeometrisko īpašību ietekme uz audzēšanas procesiem.
- – Izstrādāts augstfrekvences lampas ģenerators ar darbības frekvenci 1,3 MHz.
- – Saskaņā ar matemātisko modeli izaudzēti kristāli ar diametru līdz 20 mm.
- Audzēšanas procesu sākumā ar pieņemto induktoru diametru tika konstatēts, ka tievā kakliņā ar diametru 5 mm audzēšana ir gandrīz neiespējama. Šāda procesa matemātiskā modelēšana parādīja, ka tangenciālās temperatūras gradienti uz kausējuma virsmas ir 20-30 reizes zemāki par optimālajiem.
- Projekta pamatrezultāti publicēti rakstos:
Optimization of high-frequency inductor shape for the
pedestal growth of silicon crystals
Float
zone silicon crystals for testing rods, pulled under electron beam
heatin
